Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
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Martin-Luther-Universität
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Nanotechnikum Weinberg
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Telefax:+49 345 55 27390 email: info@cmat.uni-halle.de
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unfortunately no abstract available M.Baumann
Prozessierung großflächiger Substrate im Rahmen des neuartigen Konzeptes der bewegten Belichtung
Masterarbeit (2016),
 
unfortunately no abstract available C.Erhardt
Kompositdielektrika als Energiespeicher
Dissertation (2016),
 
unfortunately no abstract available T.Fläschel
Herstellung und Charakterisierung von Superkondensatorfolien mittels Linearbeschichtung
Masterarbeit (2016),
 
unfortunately no abstract available J.Hamperl
Vergleich verschiedener Kontaktierungsverfahren für Superkondensatoren
Bachelorarbeit (2016),
 
abstractNick Bergau, Stefan Bennewitz, Frank Syrowatka, Gerd Hause, Alain Tissier
The development of type VI glandular trichomes in the cultivated tomato Solanum lycopersicum and a related wild species S. habrochaites
BMC Plant Biology (2015),
 
abstractV. G. Talalaev, B. V. Novikov, G. E. Cirlin, H. S. Leipner
Temperature quenching of spontaneous emission in tunnel-injection nanostructures.
Semicond. 49, 11 (2015), 1483-1492
 
abstractM. Elsayed, N. Yu. Arutyunov, R. Krause-Rehberg, G. A. Oganesyan, V. V. Kozlovski
Formation and annealing of vacancy-P complexes in proton-irradiated germanium.
Acta Mater. 100 (2015), 1-10
 
abstractLudwig Stockmeier, Mohamed Elsayed, Reinhard Krause-Rehberg, Markus Zschorsch, Lothar Lehmann, Jochen Friedrich
Electrically Inactive Dopants in Heavily Doped As-Grown Czochralski Silicon.
Solid State Phenom. 242 (2015), 10-14
 
abstractNikolai Yu. Arutyunov, M. Elsayed, Reinhard Krause-Rehberg, Vadim V. Emtsev, Gagik A. Oganesyan, Vitalii V. Kozlovski
Similarity of Atomic Configurations of Thermally Stable Positron-Sensitive Complexes Produced with 0.9-MeV Electrons and 15-MeV Protons in n-FZ-Si:P Crystals.
Solid State Phenom. 242 (2015), 296-301
 
abstractN. Arutyunov, M. Elsayed, R. Krause-Rehberg, V. Emtsev, G. Oganesyan, V. Kozlovski
Thermally stable vacancy complexes in silicon n-FZ-Si(P) irradiated with 0.9 MeV electrons and 15 MeV protons.
16th International Conference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (2015),
 
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