| |
28.03.2003
10:15 Uhr |
STM investigations in III-V semiconductors
P. Ebert (FZ J?lich) |
28.03.2003
11:00 Uhr |
Vacancy-like defects in undoped GaAs studied by positron annihilation
V. Bondarenko |
07.04.2003
16:15 Uhr |
Untersuchung von Siliziumkarbidkristallen mit Hilfe der Positronen-Annihilations-Spektroskopie
F. Redmann - Promotionsverfahren |
14.04.2003
12:30 Uhr |
Por?se Gl?ser - Nanopor?se Materialien mit vielseitigem Anwendungspotential
D. Enke (FB Technische Chemie) |
28.04.2003
12:30 Uhr |
Models of scattering of charge carriers in semiconductors
V. V. Mikhnovich Jr. |
05.05.2003
12:30 Uhr |
X-ray diffractometry of nanostructures
M. Hanke (Humboldt-Universit?t Berlin) |
19.05.2003
12:30 Uhr |
Growth of silicon whiskers
L. Schubert |
06.06.2003
13:30 Uhr |
Geordnete por?se Nanostrukturen - ein Baukastensystem f?r die Photonik
R. Wehrspohn - Habilitationsverfahren |
11.06.2003
09:00 Uhr |
Kopplung von ESEM und Ramanmikroskop (Ort: IZM, Hoher Weg 8, Besprechungsraum 6. Etage)
S. Bohmann |
16.06.2003
12:30 Uhr |
Interaction of dislocations with impurities
H. Lei |
| |
Organisation