Kristallphysik-Seminar Wintersemester 2000/2001 Seminar des Graduiertenkollegs 415 "Defektstrukturbestimmte physikalische Eigenschaften" und der Fachgruppe Kristallphysik | |
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H.-R. Höche/H. S. Leipner
Fachbereich Physik
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montags 10 c.t.
Friedemann-Bach-Platz 6
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Seminarraum 2
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16.10.2000 | Opening Meeting GK415 |
23.10.2000 | Structure and properties of free and supported Cu clusters
H. Lei |
06.11.2000 | SEM CL in-situ observation during dislocation motion in GaAs and CdTe
L. Höring |
06.11.2000 | Interaction of copper and sulfur with dislocations in GaAs
N. Engler |
13.11.2000 | Electron microscopy of core-shell structures
M. Rössel |
20.11.2000 | Dislocation-bound luminescence in II-VI compounds
U. Hilpert |
27.11.2000 | Defect-selective etching of compound semiconductors
J. Weyher (University of Nijmegen) |
04.12.2000 | Microcalorimeter energy dispersive X-ray analysis
J. Neumann-Zdralek |
08.01.2001 | Depolarisation phenomena at x-ray diffraction
M. Kolbe |
15.01.2001 | Detection and control of electrically active defects in semiconductors
K. Irmscher (IKZ Berlin) |
29.01.2001 | Environmental SEM: neues von Philips; ausgewählte Ergebnisse; Ausblick
F. Heyroth |
05.02.2001 | Dislocation generation at nanoindentations
A. Zeckzer |
12.02.2001 | Photonic bandstructure and defect modes in 2-d photonic crystals
T V Chandra Sekhar |
19.02.2001 14:30 Uhr |
Züchtung und Eigenschaften von undotiertem und dotiertem KNbO3
Andrea Thöne (Uni Köln) - Seminarraum 1 |
26.02.2001 | Scanning tunneling microscopy of BaTiO3 ceramics
T. Doege |