Kristallphysik-Seminar Wintersemester 2000/2001
Seminar des Graduiertenkollegs 415
"Defektstrukturbestimmte physikalische Eigenschaften"
und der Fachgruppe Kristallphysik
H.-R. Höche/H. S. Leipner Fachbereich Physik
montags 10 c.t. Friedemann-Bach-Platz 6
  Seminarraum 2
16.10.2000 Opening Meeting GK415
23.10.2000 Structure and properties of free and supported Cu clusters
H. Lei
06.11.2000 SEM CL in-situ observation during dislocation motion in GaAs and CdTe
L. Höring
06.11.2000 Interaction of copper and sulfur with dislocations in GaAs
N. Engler
13.11.2000 Electron microscopy of core-shell structures
M. Rössel
20.11.2000 Dislocation-bound luminescence in II-VI compounds
U. Hilpert
27.11.2000 Defect-selective etching of compound semiconductors
J. Weyher (University of Nijmegen)
04.12.2000 Microcalorimeter energy dispersive X-ray analysis
J. Neumann-Zdralek
08.01.2001 Depolarisation phenomena at x-ray diffraction
M. Kolbe
15.01.2001 Detection and control of electrically active defects in semiconductors
K. Irmscher (IKZ Berlin)
29.01.2001 Environmental SEM: neues von Philips; ausgewählte Ergebnisse; Ausblick
F. Heyroth
05.02.2001 Dislocation generation at nanoindentations
A. Zeckzer
12.02.2001 Photonic bandstructure and defect modes in 2-d photonic crystals
T V Chandra Sekhar
19.02.2001
14:30 Uhr
Züchtung und Eigenschaften von undotiertem und dotiertem KNbO3
Andrea Thöne (Uni Köln) - Seminarraum 1
26.02.2001 Scanning tunneling microscopy of BaTiO3 ceramics
T. Doege