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Kristallphysik-Seminar Wintersemester 2001 / 2002 Seminar des Graduiertenkollegs 415 "Defektstrukturbestimmte physikalische Eigenschaften" und der Fachgruppe Kristallphysik | |
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| H.-R. Höche/H. S. Leipner | Fachbereich Physik |
| montags 12:30 Uhr | Friedemann-Bach-Platz 6 |
| Seminarraum 1 | |
| 13.10.2001 9:30 Uhr |
4. Klausurtagung GK415 (see special announcement)
special venue: Center of Materials Science, Hoher Weg 8 |
| 15.10.2001 | Vorbesprechung Seminar Materialphysik |
| 16.10.2001 16:15 Uhr |
Physikalisches Kolloquium im Großen Hörsaal
Diffusion auf dem Arsen-Untergitter in Galliumarsenid Norbert Engler - Promotionsverfahren |
| 29.10.2001 | Microstructure of 1 MeV implanted KTiOPO4
T. Höche |
| 05.11.2001 | Diffusion of Strontium, Bismuth, and Tantalum in Silicon Dioxide
R. Büngener (Infineon) |
| 12.11.2001 | Defect properties in 2-D photonic crystals - A theoretical investigation
C. Sekhar |
| 16.11.2001 14:15 Uhr |
Physikalisches Kolloquium im Großen Hörsaal
Untersuchungen zur homogenen Versetzungsnukleation mittels Nanoindentierung Dirk Lorenz - Promotionsverfahren |
| 19.11.2001 | Localization of weak heat sources in electronic devices using highly sensitive Lock-in Thermography
P. Rakotoniaina (MPI Halle) |
| 23.11.2001 14:15 Uhr |
Physikalisches Kolloquium im Großen Hörsaal
Rastertunnelmikroskopie zum Wachstum und zur Struktur dünner Cu-Schichten auf Ru(0001) im Temperaturbereich von 100 K bis Raumtemperatur Matthias Mitte - Promotionsverfahren |
| 26.11.2001 | Polarization-resolved Cathodoluminescence Microscopy
S. Vasnyov |
| 26.11.2001 16:15 Uhr |
Physikalisches Kolloquium im Großen Hörsaal
REM-KL in-situ Untersuchungen zu Generation, Migration und elektronischer Wirksamkeit von Gleitversetzungen in ausgewählten III/V- und II/VI-Verbindungshalbleitern Lutz Höring - Promotionsverfahren |
| 03.12.2001 | Depolarization at X-ray diffraction with many-beam excitation
M. Kolbe |
| 06.12.2001 17:15 Uhr |
Physikalisches Kolloquium im Großen Hörsaal
Modellierung von Bruchphänomenen am Übergang vom spröden zum duktilen Verhalten - Abstract P. Gumbsch |
| 10.12.2001 | Investigation of GaN quantum wells
H. Gu |
| 07.01.2002 | Metalle mit Gedächtnis
C. Heiliger - Materialphysik-Seminar |
| 14.01.2002 | Diamant als Material für elektronische Bauelemente
M. Penzler - Materialphysik-Seminar |
| 21.01.2002 | Nanopartikel - Darstellung, Charakterisierung und Eigenschaften
C. Strümpel - Materialphysik-Seminar |