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Kristallphysik-Seminar Sommersemester 2000 Seminar des Graduiertenkollegs 415 "Defektstrukturbestimmte physikalische Eigenschaften" und der Fachgruppe Kristallphysik | |
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H.-R. Höche/H. S. Leipner
montags 10 c.t., Seminarraum 4
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| 13.04.2000 17:15 Uhr |
Wechselwirkung von Versetzungen und Punktdefekten
H. S. Leipner - Großer Hörsaal |
| 17.04.2000 | Vorbesprechung und Themenfestlegung |
| 27.04.2000 14:00 Uhr |
Eröffnung des Analytischen Labors am Interdisziplinären Zentrum für Materialwissenschaften
Hörsaal Hoher Weg 8 |
| 15.05.2000 | Katodolumineszenz von Halbleitern im Transmissions- elektronenmikroskop - Anwendungen und Perspektiven
M. Albrecht (Uni Erlangen) |
| 22.05.2000 | Kupferdiffusion in GaAs
K. Petters |
| 24.05.2000 16:15 Uhr |
Native Leerstellen in GaAs - der Einfluß von Stöchiometrie und Dotierung
J. Gebauer - Großer Hörsaal |
| 29.05.2000 | Röntgenmikroskopie und Röntgenholographie mit kohärenter Synchrotronstrahlung
W. Leitenberger (ESRF Grenoble) |
| 19.06.2000 | Waferbonding of compound semiconductors
T. Akatsu (MPI Halle) |
| 26.06.2000 | Low-temperature silicon epitaxy - growth conditions and electronic properties
L. Oberbeck (Uni Stuttgart) |
| 03.07.2000 | Rastersondenmikroskopie an BaTiO3
T. Doege |
| 24.07.2000 | Domänengrenzen in Bariumtitanat
T. Hauke |