Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
  Publikationen [suche]   
Organisation
Aktivitäten
Kontakt
Angebote für Studenten
Bereiche im
      Nanotechnikum
Martin-Luther-Universität
Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
Nanotechnikum Weinberg
Heinrich-Damerow-Str. 4,
D-06120 Halle, Germany
Tel.: +49 345 55 28471
Telefax:+49 345 55 27390 email: info@cmat.uni-halle.de
[Veröffentlichungen] [Graduierungsarbeiten] [Berichte] [Poster]
[mit ausgewählten Arbeiten von Nutzergruppen]   [IZM-Laborbereiche]
10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 | 110 | 120 | 130 | 140 | 150 | 160 | 170 | 180 | 190 | 200 | 210 | 220 | 230 | 240 | 250 | 260 | 270 | 280 | 290 | 300 | 310 | 320 |330 | 340 | 350 | 360 | 370 | 373 | All
abstractU. Schmidt, C. Eisenschmidt, T. Vieweger, C. Y. Zahra, A. -M. Zahra
Crystallization of amorphous AlDy- and AlDyCo-alloys
J. Non-Cryst. Sol. 271, 1-2 (2000), 29-44
 
abstractY. Mrestani, M. Janich, H. H. R?ttinger, R. H. H. Neubert
Characterization of partition and thermodynamic properties of cephalosporins using micellar electrokinetic chromatography in glycodeoxycholic acid solution
J. Chromatogr. A 873, 2 (2000), 237-246
 
abstractM. Kolbe, C. Eisenschmidt, H.-R. H?che
Polarisationsanalyse der gebeugten R?ntgenstrahlung an gest?rten LiF- und Si-Kristallen
HASYLAB? Annual Report 1999. Pt. I (2000), 583-584
 
abstractFrank Heyroth
Röntgentopographischer Kontrast im Dreistrahlfall der Interferenz
Dissertation (2000),
 
abstractM. Haugk, J. Elsner, T. Frauenheim, T. E. M. Staab, C. D. Latham, R. Jones, H. S. Leipner, T. Heine, G. Seifert, M. Sternberg
Structures, energetics and electronic properties of complex III-V semiconductor systems
phys. stat. sol. (b) 217,1 (2000), 473-511
 
abstractH. S. Leipner, C. G. H?bner, P. Grau, R. Krause-Rehberg
Defect investigations in plastically deformed gallium arsenide
Physica B 273-274 (1999), 710-713
 
abstractH. S. Leipner, R. F. Scholz, N. Engler, F. B?rner, P. Werner, U. G?sele
Diffusivity of arsenic interstitials in GaAs studied by sulfur in-diffusion
Physica B 273-274 (1999), 697-700
 
abstractT. E. M. Staab, M. Haugk, A. Sieck, T. Frauenheim, H. S. Leipner
Magic number vacancy aggregates in Si and GaAs - structure and positron lifetime studies
Physica B 273-274 (1999), 501-504
 
abstractT. E. M. Staab, M. Haugk, T. Frauenheim, H. S. Leipner
Magic number vacancy aggregates in GaAs: Structure and positron lifetime studies
Phys. Rev. Lett. 83, 26 (1999), 5519-5522
 
abstractH. S. Leipner, R. F. Scholz, F. Syrowatka, J. Schreiber, P. Werner
Copper diffusion in dislocation-rich gallium arsenide
Phil. Mag. A 79,11 (1999), 2785-2802
 
10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 | 110 | 120 | 130 | 140 | 150 | 160 | 170 | 180 | 190 | 200 | 210 | 220 | 230 | 240 | 250 | 260 | 270 | 280 | 290 | 300 | 310 | 320 |330 | 340 | 350 | 360 | 370 | 373 | All


Impressum Copyright © Center of Materials Science, Halle, Germany. All rights reserved.