Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
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Vorlesung über 2 SWS im Rahmen des Wahlpflichtfaches 6: Materialphysik

dienstags 10:15 Uhr, kleiner Hörsaal

Priv.-Doz. Dr. H. S. Leipner, Prof. Dr. R. Krause-Rehberg

Zielgruppe:
  • Studenten höherer Studienjahre (nach Vordiplom) der Studiengänge Physik (wahlobligatorisch für Wahlpflichtfach 6), Werkstoffwissenschaften, Chemie, Mineralogie (Nebenfach Physik)
Inhalt:

In Fortführung in die Einführung in Kristallbaufehler (im SS 2007) werden in diesem Semester vertiefende Themen der Festkörperphysik behandelt, die mit Defekten zu tun haben. Gegenstand ist das Kristallwachstum aus der Sicht der Realstruktur, die Diffusion von Punktdefekten, sowie die Rolle von Kristalldefekten bei der Herstellung und der Funktion von Festkörperbauelementen.

Im zweiten Teil werden grundlegende experimentelle Techniken für die Untersuchung von Kristallbaufehlern vorgestellt. Die folgenden Methoden werden u. a. behandelt: optische und elektrische Verfahren (Lumineszenz, Halleffekt, DLTS), Röntgenstrahlverfahren, Sonden- und Resonanztechniken (Positronenannihilation, gestörte Winkelkorrelation, Elektronenspinresonanz). Die Informationen zur Struktur der Defekte, die aus der Anwendung der speziellen Methoden extrahiert werden können, werden gegeben.

Contents:

As the continuation of the introduction into crystal defects (in the SS 2007), advanced topics of solid state physics related to defects are treated in this semester. Topics are the crystal growth from the point of view of crystal imperfections, diffusion in solids, and the role of defects in the production and the function of solid state devices.

In the second part of this lecture, basic experimental techniques of the investigation of defects are introduced. The following methods are treated: optical and electrical methods (luminescence, Hall effect, DLTS), X-ray techniques, probe and resonance techniques (positron annihilation, pertubed angular correlation, electron paramagnetic resonance). The pieces of information to be extracted from the particular methods for the characterization of the defect structure are discussed.

Literatur:
  • K.-T. Wilke: Kristallzüchtung. Berlin: Deutscher Verlag der Wissenschaften 1988.
  • Silicon devices. Ed. K. A. Jackson. Weinheim: Wiley-VCH 1998.
  • Bergmann Schäfer Lehrbuch der Experimentalphysik. Band 6 Festkörper. Hrg. W. Raith. Berlin: De Gruyter 1992.
  • B. G. Jacobi, D. B. Holt: Cathodoluminescence microscopy of inorganic solids. New York: Plenum 1990.
  • S. Pfüller: Halbleitermeßtechnik. Berlin: Verlag Technik 1976.
  • G. Schatz, A. Weidinger: Nukleare Festkörperphysik. Stuttgart: Teubner 1992.
  • J. Bourgoin, M. Lannoo: Point defects in semiconductors II. Berlin: Springer 1983.
Bemerkungen/Vorkenntnisse:
  • Grundkenntnisse Festkörperphysik
  • This lecture is given in English.


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