Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
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Nanotechnikum Weinberg
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Tel.: +49 345 55 28471
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Abstracts

V. Bondarenko, J. Gebauer, F. Redmann, R. Krause-Rehberg
Vacancy formation in GaAs under different equilibrium conditions
Mater. Sci. Forum 445-446 (2004), 54-56

Defect properties of undoped semi-insulating and silicondoped n-type GaAs annealed at different arsenic vapor pressures have been studied by means of positron annihilation and Hall measurements...

Keywords: positron annihilation, vacancies, density, stoichiometry, gallium arsenide
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