Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
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Martin-Luther-Universität
Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
Nanotechnikum Weinberg
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abstractX. Ou, N. Geyer, R. Kögler, P. Werner, W. Skorupa
Acceptor deactivation in individual silicon nanowires: From thick to ultrathin.
Appl. Phys. Lett. 98 (2011), 253103
 
unfortunately no abstract available M. Niepel, B. Fuhrmann, H. S. Leipner, T. Groth
Multischichten aus synthetischen und Biopolymeren steuern die Zelladhäsion auf nanostrukturierten Oberflächen.
Biomater. 12 (1-4) (2011), 143
 
unfortunately no abstract available S. Hollstein, E. Hoffmann, J. Vogel, F. Heyroth, N. Prochnow, P. Maurer
Micromorphometrical analyses of five different ultrasonic osteotomy devices at the rabbit skull.
Clin. Oral Implants Res. 22, 5 (2011),
 
abstractChristoph Pientschke, Ralf Steinhausen, Sabine Kern, Horst Beige
Modelling of the measured longitudinal piezoelectric coefficient of single ceramic fibres with annular electrodes.
Smart Mater. Struct. 20, 5 (2011), 2011
 
abstractOtwin Breitenstein, Hartmut S. Leipner, Peter Werner (Ed.)
10th International workshop Beam injection Assessment of microstructures in semiconductors.
(2011),
 
unfortunately no abstract available Otwin Breitenstein, Hartmut S. Leipner
Preface.
phys. stat. sol. (c) 8, 4 (2011), A7
 
abstractI. Ratschinski, H. S. Leipner, F. Heyroth, W. Fränzel, R. Hammer, M. Jurisch
Dislocations and cracks at Vickers indentations in GaN and GaAs bulk crystals.
phys. stat. sol. (c) 8, 4 (2011), 1325-1329
 
abstractZhipeng Huang, Nadine Geyer, Peter Werner, Johannes de Boor, Ulrich Gösele
Metal-assisted chemical etching of silicon: A review.
Adv. Mater. 23 (2011), 285-308
 
abstractIngmar Ratschinski, Hartmut S. Leipner, Frank Heyroth, Wolfgang Fränzel, Osama Moutanabbir, Ralf Hammer, Manfred Jurisch
Indentation-induced dislocations and cracks in (0001) freestanding and epitaxial GaN.
J. Phys. Conf. Ser. 281, 1 (2011), 012007
 
abstractM. Elsayed, R. Krause-Rehberg, O. Moutanabbir, W. Anwand, S. Richter, C. Hagendorf
Cu diffusion-induced vacancy-like defects in freestanding GaN.
New J. Phys. 13 (2011), 013029
 
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