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Laser-Interferenzlithographie im Lloyds- und Fresnel-Aufbau

Die Laser-Interferenzlithographie (LIL) ist ein alternatives Lithographieverfahren zur kostengünstigen, schnellen und großflächigen Herstellung regelmäßiger Strukturen mit Perioden im nm- und µm-Bereich. Den Kooperationspartnern des IZM stehen dafür zwei LIL-Aufbauten zur Nanostrukturierung mit wahlweise Lloyds- oder Fresnel-Interferometern zur Verfügung.


  

Die Abbildung zeigt schematisch den Aufbau beider Interferometer für Zweistrahlinterferenz, wie er zur Erzeugung von Linienmustern oder Gitterstrukturen (durch Zweifachbelichtung mit Rotation der Probe) verwendet wird. Im Falle des Lloyds-Aufbaus trifft die ebene Planwelle unter dem Einfallswinkel Θ einerseits direkt, andererseits nach Reflektion an einem zur Probe senkrecht stehenden Spiegel auf die Probe. Beim Fresnel-Aufbau wird die ebene Planwelle an zwei unter 45° im Strahlengang stehende, gegeneinander um den Winkel T geneigte Spiegel auf die Probe reflektiert. In beiden Fällen berechnet sich die Strukturperiode p zu:

Für beide Varianten existieren auch Anordnungen für Dreistrahlinterferenz zur Herstellung von 2D-Strukturen mit einer Einfachbelichtung. Die folgende Tabelle zeigt vergleichend die möglichen Belichtungsregime auf. Mit beiden Interferometertypen und einem Laser mit der Wellenlänge von 266nm wird insgesamt ein weiter Periodenbereich von ~ 150 nm bis ~ 10 µm abgedeckt. Beispiele für die Anwendung der LIL am IZM sind in [4] – [8] zu finden.

SetupStrukturPeriode
Lloyds 1 Spiegel, EinfachbelichtungLinien800 nm > p > 133 nm
Lloyds 1 Spiegel, Zweifachbelichtung2D-Gitter800 nm > p > 133 nm
Lloyds 2 Spiegel, fest unter 120° und 90° gegen Probe2D-Gitter hexagonal1000 nm > p > 175 nm
Fresnel 2 SpiegelLinien10 µm > p > 800 nm
Fresnel 2 Spiegel, Doppelbelichtung2D-Gitter> 800 nm
Fresnel 3 Spiegel2D-Gitter> 800 nm

[1]J. L. Stay, T. K. Gaylord: Appl. Opt. 47 (2008) 3221.
[2]J. de Boor: Fabrication and thermoelectric characterization of nanostructured silicon. Dissertation Halle 2009.
[3]Y. Fan, A. Bourov, L. Zavyalova, J. Zhou, A. Estroff, N. Lafferty: Proc. SPIE 5754 (2005) 1805.
[4]E. Jarzembowski, B. Fuhrmann, H. Leipner, W. Fränzel, R. Scheer: Ultrathin Cu(In,Ga)Se2 solar cells with point-like back contact in experiment and simulation. Thin Sol. Films 633 (2017) 61. DOI 10.1016/j.tsf.2016.11.003
[5]A. Facchini: Laser interference lithography technique for back-contact microstructuring of CuIn(1-x)GaxSe2 solar cells. Masterarbeit Halle 2018.
[6]B. K. Ekambaram, M. S. Niepel, B. Fuhrmann, G. Schmidt, T. Groth: Introduction of Laser Interference Lithography to Make Nanopatterned Surfaces for Fundamental Studies on Stem Cell Response, ACS Biomater. Sci. Eng. 4 (2018) 1820. DOI 10.1021/acsbiomaterials.8b00060
[7]M. Chilcote, M. Harberts, B. Fuhrmann, K. Lehmann, Y. Lu, A. Franson, H. Yu, N. Zhu, H. Tang, G. Schmidt, E. Johnston-Halperin: Spin-wave confinement and coupling in organic-based magnetic nanostructures. APL Mater. 7 (2019) 111108. DOI 10.1063/1.5119077
[8]H. Zhang, D. J. Hagen, X. Li, A. Graff, F. Heyroth, B. Fuhrmann, I. Kostanovskiy, S. L. Schweizer, F. Caddeo, A. W. Maijenburg, S. Parkin, R. B. Wehrspohn: Atomic Layer Deposition of Cobalt Phosphide for Efficient Water Splitting: Angew. Chem. Int. Ed. 59 (2020) 17172. DOI 10.1002/anie.202002280


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