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abstractH. S. Leipner, C. G. H?bner, T. E. M. Staab, M. Haugk , A. Sieck, R. Krause-Rehberg, T. Frauenheim
Vacancy clusters in plastically deformed semiconductors
J. Phys.: Condens. Matter 12 (2000), 10071-10078
 
abstractR. F. Scholz, P. Werner, U. G?sele, N. Engler, H. S. Leipner
Determination of arsenic diffusion parameters by sulfur indiffusion in gallium arsenide
J. Appl. Phys. 88,12 (2000), 7045-7050
 
abstractM. Haugk, J. Elsner, T. Frauenheim, T. E. M. Staab, C. D. Latham, R. Jones, H. S. Leipner, T. Heine, G. Seifert, M. Sternberg
Structures, energetics and electronic properties of complex III-V semiconductor systems
phys. stat. sol. (b) 217,1 (2000), 473-511
 
abstractH. S. Leipner, C. G. H?bner, P. Grau, R. Krause-Rehberg
Defect investigations in plastically deformed gallium arsenide
Physica B 273-274 (1999), 710-713
 
abstractH. S. Leipner, R. F. Scholz, N. Engler, F. B?rner, P. Werner, U. G?sele
Diffusivity of arsenic interstitials in GaAs studied by sulfur in-diffusion
Physica B 273-274 (1999), 697-700
 
abstractT. E. M. Staab, M. Haugk, A. Sieck, T. Frauenheim, H. S. Leipner
Magic number vacancy aggregates in Si and GaAs - structure and positron lifetime studies
Physica B 273-274 (1999), 501-504
 
abstractT. E. M. Staab, M. Haugk, T. Frauenheim, H. S. Leipner
Magic number vacancy aggregates in GaAs: Structure and positron lifetime studies
Phys. Rev. Lett. 83, 26 (1999), 5519-5522
 
abstractH. S. Leipner, R. F. Scholz, F. Syrowatka, J. Schreiber, P. Werner
Copper diffusion in dislocation-rich gallium arsenide
Phil. Mag. A 79,11 (1999), 2785-2802
 
abstractR. Krause-Rehberg, H. S. Leipner
Positron annihilation in semiconductors
Berlin: Springer-Verlag ISBN 3-540-64371-0 (1999), Springer series in solid-state sciences 127
 
abstractN. Engler, H. S. Leipner, R. F. Scholz, P. Werner, F. Syrowatka, J. Schreiber, U. G?sele
Investigations of extended defects after sulfur diffusion in GaAs
Sol. State Phen. 69-70 (1999), 443-448
 
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