Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
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Abstracts

N. Yu. Arutyunov, R. Krause-Rehberg
Atomic environment of positrons annihilating in different parts of Cz-Si single crystal
Solid State Phen. 95-96 (2004), 507-512

The distribution of the positron-sensitive oxygen-induced as-grown point defects has been studied along the axis of growth of the single crystal Cz-Si and along the radial direction at the central part of the ingot...

Keywords: positron annihilation, silicon, growth, oxygen, complexes
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